芯粤能的技术突围之路
五年前，国产碳化硅芯片产业蹒跚学步，整体处于验证与导入的起步阶段。新能源汽车仍处在400V架构时代，800V的新征程尚待开启。而车规级主驱芯片的市场版图中，国际巨头虎踞龙盘，垄断地位几乎不可撼动。
五年后，芯粤能碳化硅芯片已突出重围，搭载芯粤能自主研发的碳化硅主驱芯片的整车电驱总成已成功量产下线，“芯粤能+芯聚能”芯片模块组合已获多品牌多车型定点。芯粤能系列化工艺平台已广泛落地，性能可靠性良率比肩国际头部厂商，持续稳定服务车规、风光储、工业电源等多元场景头部客户。
这是一条从追赶到并跑、再向超越的技术突围之路。芯粤能以初心为锚，积寸功成塔，瞄准车规级和工控领域碳化硅芯片制造，一步一印持续夯实技术根基。当国产碳化硅芯片由“可用”升级为“好用”，芯粤能又举目向前，继续朝着900V、1000V的下一代高压平台奋勇竞发。
“奋楫五载兴，破浪再前行”，芯粤能以一份扎实的技术答卷，来回应这1800多个日夜的积累与攀登。
一、真1400V，从原点定义安全
新能源整车电压平台正加速从主流的800V向900V演进。标称电压提升的同时，满电状态下的最高母线电压可达1000V。更高的电压基准带来了更严峻的挑战：动能回收反向电压、开关瞬态过压、器件温漂特性等因素相互叠加，导致瞬时峰值电压进一步攀升。若继续沿用1200V SiC MOSFET模块，工作电压将频繁逼近其耐压极限，使系统长期处于设计临界状态，可靠性风险显著上升。因此，针对900V及以上电压平台的电驱系统，额定电压为1400V的SiC MOSFET主驱功率模块已成为保障系统可靠性的必要选择。
但现实情况是，由于真正额定1400V的主驱SiC MOSFET器件长期缺位，多数厂商选择将1200V SiC MOSFET芯片筛选后充当1400V产品供应整车，部分厂家也仅能承诺1400V短时可靠性。这本质上是一种权宜之计，而非真正的技术跨越。
芯粤能没有选择走这条“捷径”。
芯粤能始终秉持做足安全裕量、不把风险留给终端客户的研发准则，完全贴合车规长期可靠的底层诉求。针对900V电驱平台，芯粤能的芯片解决方案是从立项之初就将1400V作为原生设计目标，第二代1400V SiC MOSFET芯片由此而生，它围绕三个维度重新定义：
高耐压设计。
终端结构、元胞设计、材料规格均按高压工况定制开发，实际击穿电压典型值约1700V。
这不是在1200V基础“筛选提压”，而是从器件物理结构层面重新设计。
超规可靠性。
芯粤能为这颗芯片设计了一组叠加加严的分步考核方案：先在175℃结温下完成HTRB、HTGB各1000小时考核，再将温度提升至200℃，再次执行各1000小时，累计高温偏置应力达2000小时。测试完成后器件电参数稳定，未出现本征失效或显著劣化。
这一条件远严于现行AEC-Q101标准对车规主驱SiC MOSFET的要求。这也意味着，该器件为追求更高出流与更强性能的客户，提供了在更高结温下“超频”长时安全使用的可能。
性能代际提升。
1400V额定电压基准下，导通电阻典型值11mΩ，比导通电阻（Rsp）降至2.4 mΩ·cm²，较上一代产品降低29%，性能表现已持平国际主流1200V产品水平。
更低的通态损耗直接贡献整车续航，也为客户在芯片面积和系统成本上留出优化空间。
芯粤能第二代
1400V 11mΩ SiC MOSFET主驱芯片
二、产业链垂直整合，加速价值落地
技术突破的最终价值，须在终端应用中兑现。裸芯片的参数优势，只有匹配定制化高压模块才能完全释放，继而在系统层面完整传导，最终服务于整车客户。这正是芯粤能与芯聚能垂直整合协同模式的核心价值。
芯粤能与芯聚能构建了从碳化硅芯片设计、制造到封测应用的垂直整合产业链，基于这一模式，芯粤能第二代1400V SiC MOSFET芯片与芯聚能V5系列功率模块实现了“芯片+模块”的协同设计。
芯聚能V5系列功率模块采用大面积铜框架键合、低杂散电感端子设计以及二代水滴型PINFIN散热结构，在典型值900V的高压母线、冷却液入口温度65℃工况下，匹配芯粤能第二代1400V SiC MOSFET芯片，凭借充足的电压安全裕量，无需降额即可实现最高出流能力≥700Arms。
芯聚能V5系列主驱功率模块
（图源：芯聚能）
芯粤能与芯聚能所提供的，不仅仅是一颗芯片或一个模块，而是一套从1400V SiC MOSFET芯片原生设计到高压专用模块封装的完整解决方案。
当前，该方案已完成从芯片、模块、电驱系统到整车的全产业链车规级验证，获得多个主驱项目定点并进入小批量交付。
回望2025年，搭载芯粤能自研碳化硅MOSFET主驱芯片的整车800V电驱总成量产下线，已获多家汽车品牌和车型定点。进入2026年，800V电驱装车量持续攀升，900V高压电驱也已完成多款主力车型定点并进入小批量交付；下半年，越来越多搭载900V电驱的车型将上市上量，届时第二代1400V芯片的交付量将显著攀升，进一步巩固领先优势。
这是芯粤能技术突破在产业链层面的真实落地，也是垂直整合协同模式给出的产业化答案。
三、破浪前行，站在下一个五年的起点
五年前，国产碳化硅芯片尚在“能用就好”的起步阶段。五年后，芯粤能已能向行业交付一颗从设计、制造到验证全按原生标准开发的1400V车规级芯片，已能为整车客户提供经得起严苛工况检验的产业化方案。
面向2026年，芯粤能的方向清晰：
在技术层面，持续推动由平面栅工艺平台向沟槽栅工艺平台的技术演进、超结等创新结构的前瞻性研发布局和面向8英寸碳化硅晶圆的技术攻关验证，以专业、可靠、一致、迅速的制造与服务应对市场演进；
在市场层面，继续深化车规主驱芯片的规模化交付，同时瞄准AI数据中心、消费电子、风光储等新兴场景纵深挺进，让碳化硅的应用边界进一步拓宽；
在全球层面，系统化推进国际标准认证与海外客户验证，推动国产碳化硅芯片走向更广阔的全球市场。
奋楫五载，芯之所向；
破浪前行，粤能致远。
五周年，是驻足回首的节点，
更是再扬风帆、驶向深蓝的澎湃起点。
