以色列米格达尔哈埃梅克，2026 年 5 月 13 日—— Tower Semiconductor（纳斯达克/TASE：TSEM），作为高价值模拟半导体解决方案领域的领先代工厂，今日宣布已与其核心客户签署硅光子（SiPho）相关合同，锁定 2027 年 13 亿美元收入，并已收到客户为预留产能所支付的 2.9 亿美元预付款。2028 年将签署规模更大的晶圆供应合同，相关额外预付款将于 2027 年 1 月前到账。上述合作承诺充分体现了 Tower 在行业内的领先地位，凸显其硅光子技术平台在满足快速增长的市场需求中所发挥的关键作用。
本次预付产能预留量基于客户的合同承诺，实际客户总需求及 Tower 出货预期均高于上述规模。Tower 硅光子业务拥有超过 50 家覆盖多元化应用场景的活跃客户，来自这些客户的积极预期，进一步支撑了 Tower 2027 年整体需求增长。
为应对持续攀升的市场需求，Tower 正全面推进全球多工厂硅光子产能扩张，为达成 2028 年营收 28 亿美元、净利润 7.5 亿美元的经营目标奠定基础。
Tower Semiconductor 首席执行官 Russell Ellwanger 表示：“这些长期协议进一步巩固了 Tower 在快速增长的光互联市场中的核心战略地位。多年期客户承诺既彰显了双方深度的战略伙伴关系，也体现了客户对 Tower 技术落地能力的充分认可。依托差异化、多代际硅光子技术路线图，我们能够有效匹配人工智能基础设施扩张带来的性能升级需求。凭借独特的制造规模、多元的技术储备及持续扩容的全球产能，Tower 可全面支撑市场需求，覆盖当前主流可插拔光模块，以及下一代近封装光学（NPO）、共封装光学（CPO）解决方案，助力数据中心实现带宽、能效与互联性能的持续提升。”
Tower 一方面通过大规模产能扩张响应人工智能领域的快速需求，另一方面持续加大技术投入，支撑面向AI训练和推理硬件的下一代横向扩展、跨域扩展和纵向扩展架构。此前披露的部分技术能力包括：在原生硅光子平台、异质集成磷化铟/硅光子（InP/SiPho）及铌酸锂薄膜（TFLN）平台上，均已实现 400GHz/通道调制器和探测器性能验证；面向超低延迟全光网络的硅光子光电路交换技术；适配 “宽带宽、低时延”CPO 架构的高性能、高功率密集波分复用（DWDM）激光器；以及支持三维集成电路（3DIC）集成的混合键合技术。
此外，Tower 正与关键客户积极合作，开发多款下一代调制器，包括面向超高带宽场景的铌酸锂薄膜（TFLN）、磷化铟（InP）及有机材料调制器，以及面向超高密度并行数据传输的微环调制器、硅基电吸收调制器与微发光二极管（uLED）。Tower 将持续与行业创新企业深化合作，推动先进硅光子技术持续迭代，赋能未来多代产品应用。
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