英特尔CEO陈立武证实，公司已开始研发Intel 10A（1nm）和Intel 7A（0.7nm）制造技术，这些技术将在未来十年内取代英特尔当前的Intel 18A（1.8nm）和下一代Intel 14A（1.4nm）生产节点。Intel 10A和7A工艺预计都将能够使用ASML High-NA EUV光刻设备，但这些先进设备将首先用于Intel 14A工艺。
陈立武表示：“我现在开始着手制定10A和7A的路线图。人们不会仅仅来找你，他们想要的是未来的路线图。因此，我们希望打造一个长期的业务。”
陈立武强调了一项由来已久的商业惯例：雄心勃勃且执行得当的路线图与具有竞争力的产品或制造技术同等重要。许多公司购买的不仅仅是产品，更是未来的路线图，因为他们更倾向于与供应商建立长期的合作关系。因此，英特尔必须为合作伙伴提供长期的路线图可视性，这就意味着它必须致力于研发那些距离商业化还有数年时间的技术。
关于英特尔的Intel 14A工艺，其开发工作正按计划进行，工艺设计套件（PDK）0.5版本已经发布，PDK 0.9版本预计将于10月发布。
“正如我们在第一季度宣布的那样，Intel 14A工艺已经发布PDK 0.5版本，这样他们就可以进行测试芯片的制作，以检验我们的良率，并了解他们是否能够最终与我们合作，共同设计并制造他们的产品。”陈立武说道。 “PDK 0.9版本才是我们的终极目标。目前，我们计划在10月份将其交付给外部客户。内部客户会更早一些，这样我们才能确保流程彻底清理干净，确保一切顺利，保证产品质量过硬。”
陈立武表示，多家客户已对Intel 14A工艺表示出兴趣，但英特尔尚未透露具体客户信息。
“我们与多家客户就14A工艺进行了接洽，需要明确具体的产品、代工厂选址以及所需的产能，”陈立武说道，“我不会透露客户信息。如果客户愿意公开，我们会予以配合。”
至于英特尔14A工艺的时间表，英特尔预计将在2028年进行风险试生产，然后在2029年实现量产，届时台积电也将开始在其A14工艺上量产芯片。
这里有三点值得关注。首先，台积电A14并非英特尔14A的直接竞争对手，因为后者采用背面供电设计，更适合高端数据中心级处理器。其次，台积电据称将于2028年底开始使用A14制程生产芯片，并且该公司倾向于以极高的良率和产量启动大规模量产（HVM）。相比之下，英特尔则在研发晶圆厂启动量产，需要一段时间才能达到与之相当的良率和产量。第三，英特尔14A将是首批兼容High-NA EUV光刻系统（针对特定层）的制程节点之一，并将是首个能够使用此类光刻机进行大规模量产的制程节点。
对于英特尔而言，整合全新的High-NA EUV设备——以及新的光刻胶、新的光掩模、新的薄膜、新的计量工具、新的设计规则、新的计算光刻流程等等诸多创新——并非易事。因此，英特尔正与ASML及其合作伙伴紧密合作，力求确保新的生态系统能够顺利投入使用。巧合的是，据报道，ASML表示，首批使用High-NA EUV光刻机制造的测试芯片将在未来几个月内问世，但并未具体说明是由哪家供应商或哪家工厂生产的。（校对/赵月）
