传统DRAM现货价格近期强势上涨，正促使市场重新评估2027年高带宽存储器（HBM）的定价走势。
高盛截至6月26日的最新月度调查显示，DDR5现货价格自5月1日以来已上涨20%，目前较5月合约价溢价约25%；DDR4现货价格同期上涨11%，较5月合约价溢价幅度更达45%。
高盛认为，现货价格大幅领先合约价，通常是后续合约价格跟涨的领先信号。该行调查显示，6月整体DRAM市场情绪指标维持“温和积极”，与4月基本持平。
在此背景下，高盛已将三星2027年HBM价格年增率预测，由此前的14%大幅上修至44%。该行认为，传统DRAM现货价格的强劲表现，可能会被市场纳入明年HBM定价谈判的参考依据。
高盛同时指出，目前这一上修后的预测仍可能未充分反映上行风险，意味着44%的涨幅预估“可能还不是终点”。在HBM供需持续偏紧、传统DRAM与HBM价差继续扩大的情况下，后续价格预测仍存在进一步上调空间。
对于三星2026年第二季DRAM平均售价，高盛预计将环比上涨约46%，但价格涨势的边际动能已有所放缓，后续涨幅可能逐步趋于平稳。
产业数据也显示存储器市场景气度持续升温。韩国5月DRAM出口金额再度刷新历史纪录，环比增长21%，同比增长370%。高盛分析称，这一增长主要受益于存储器价格上涨，以及美国、中国大型科技公司的强劲采购需求。（校对/赵月）
