8月10日，拓荆科技沈阳高端半导体设备产业化基地完成主体结构封顶。该项目为辽宁省、沈阳市重点半导体产业项目，建成后将成为拓荆科技全球核心研发制造中心，计划2028年投入使用。
项目由拓荆科技及其全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司投资、中建八局承建，总投资近18亿元，占地147亩，总建筑面积15.6万平方米。基地规划洁净车间、研发中心、测试实验室及配套设施，打造数字化、智能化绿色示范工厂，设计最大产能每年超1000台，主要承载PECVD、SACVD、HDPCVD等高端薄膜沉积设备生产。
拓荆科技主营薄膜沉积设备与三维集成设备研发及产业化，产品覆盖逻辑、存储、功率器件、硅光、图像传感器等多个领域。截至当前，相关设备已导入国内近100条芯片产线，客户累计流片规模约6亿片。公司在国内布局十余家下属企业，各地研发制造基地总建筑面积接近30万平方米。
拓荆科技持续推进国产薄膜沉积装备研发与客户验证，多条产线设备实现批量导入。沈阳产业化基地建成投产后，将进一步完善公司产能布局，夯实国内高端半导体设备自主供给能力。
（校对/李正操）
