8月17日消息，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司多项研发成果集中落地，2026年7月共有9项自主研发技术获得国家发明专利授权。专利覆盖长晶切割、外延制造、制程环保三大核心领域，为半导体硅片产品提质、产能增效及绿色低碳发展提供技术支撑。
中欣晶圆本次获得的专利主要针对半导体硅片生产中的工艺痛点。其中，长晶切割领域的技术专利通过优化切割工艺提升硅片表面质量；外延制造领域的专利围绕外延层均匀性控制及缺陷抑制展开突破；制程环保领域的专利则聚焦生产过程中化学品的循环利用与废弃物减量。公司方面表示，新专利技术已逐步导入产线，预计将进一步提升产品良率和生产效率。
中欣晶圆成立于2017年9月，注册资本约52.36亿元，主要从事半导体硅片的研发、生产和销售，产品涵盖4至12英寸抛光片、外延片及退火片等，是国内少数具备12英寸半导体硅片规模化量产能力的企业之一。公司第一大股东为杭州热磁设备制造有限公司，实际控制人为日本磁性技术控股有限公司。2025年9月，中欣晶圆入选国家级专精特新“小巨人”企业。
对半导体材料企业而言，发明专利是衡量核心技术实力的重要标尺。截至2026年7月末，中欣晶圆持有的专利信息已超过470条。单月斩获9项发明专利，既是企业长期研发投入的产出，也为突破半导体硅片关键核心技术、加速高端硅基材料国产化替代筑牢技术根基。
（校对/李正操）
