8月21日，第七届光电子集成芯片立强大会在西安启幕。作为大会联办单位，陕西光电子先导院科技有限公司深度参与系列核心议程，并于8月23日技术发布环节，首次对外公开西北首条8英寸硅光中试平台量产级核心工艺数据，同步发布 LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套工艺设计套件（PDK），正式面向全产业链开放流片服务，并公布部分SOI无源工艺平台核心实测数据。此次公开的量产级工艺数据，是光电子先导院8英寸硅光中试平台2025年稳定运营以来，首次系统性向行业共享成熟工艺参数。此举补齐了我省硅光集成领域中试产业化关键短板，为人工智能算力、高速光互连、光计算等前沿场景国产光电子芯片研发降本增效，充分发挥国家级制造业中试平台的关键支撑作用。
亿级平台赋能·构建全链条中试服务体系
光电子先导院由中科院西安光机所联合省科技厅、西安高新区管委会于2015 年发起组建，依托省市区多级资源布局，累计投入超过15亿元，建成集工艺研发、中试流片、中试验证、产学研协同于一体的完整光子产业中试服务体系。2025年，光电子先导院成功入选工信部首批国家级制造业中试平台，是国内首家聚焦光子集成领域的国家级中试载体，也是陕西省首家。
光电子先导院创新构建“1+N”柔性中试平台模式，以6英寸化合物光电芯片、8 英寸硅光芯片两条核心中试产线为主体，配套建设硅透镜、MicroLED等多条特色工艺线，配备200余台（套）核心工艺设备，形成多元化、适配性强的中试赋能能力。其中，6英寸化合物光电芯片产线于2023年顺利通线，已累计服务市场客户80余家，产业化验证成果丰硕；2025年稳定投运的8英寸硅光产线，已完整搭建DUV光刻、刻蚀、离子注入、硅基锗外延、金属化等全工序工艺能力，可全面支撑高速光模块收发芯片的技术迭代、样品验证与小批量量产。
核心工艺指标公开·大幅降低国产芯片研发成本
在本次大会技术报告中，光电子先导院工艺整合研发团队公开了多项关键量产工艺指标。其中，自研2×2MMI多模干涉耦合器实现C+L波段全覆盖，器件插入损耗、信号不平衡度均控制在高标准区间；SOI无源工艺平台关键技术指标同步对外开放，为国内硅光设计企业提供标准化、可落地的工艺参考依据。
光电子先导院发布中试平台量产级核心工艺数据
业内参会企业技术负责人表示，波导损耗、MMI插损等核心参数直接决定光芯片良率与产品性能，平台公开量产级实测数据，充分印证了工艺体系的稳定性与成熟度。据测算，此前国内光子芯片初创企业依赖海外流片，单轮研发迭代成本超300万元，周期长达12个月。依托先导院8英寸硅光中试平台，企业研发迭代周期可压缩至2至3个月，综合研发成本降至海外的三分之一以内，有效破解了国内硅光企业“建不起产线、验证难、产能受限、市场风险高”的行业痛点。
同步亮相的LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套PDK即日起对外提供流片服务，精准适配高速光模块及智算中心高速光互连产业需求，可为芯片设计企业提供标准化工艺规范，大幅减少研发盲目试错，加速前沿光电子产品落地应用。
集聚产业生态·助力陕西光子产业集群提质扩容
本届立强大会期间，光电子先导院深度参与多项产业赋能工作，牵头承办硅光标准研讨会，联合主办AI大模型光电子集成芯片全链条圆桌论坛，并在全省光电子产业对接会上推介双中试平台核心能力，同步在新质生产力主题展区集中展示6英寸化合物、8 英寸硅光双线产业化成果。8月24日，光电子先导院中试产线将对外开放观摩，面向全国行业主体展示陕西光子产业中试硬实力。
依托先导院国家级制造业中试平台的核心牵引作用，西安已集聚一批优质光子企业，构建起“材料—芯片—器件—系统—终端应用”的完整光子产业链条。随着我省“追光计划”深入实施，经过5年发展，全省光子企业总数由2021年191家增长到2025年的409家，增长114%；总产值由2021年150亿元提升到2025年的410亿元，增长173%。目前，西安正持续完善光子产业创新生态，全力冲刺2027年500亿元、2030年千亿级光子产业集群发展目标。
下一步，陕西光电子先导院将持续深化 “化合物光电+硅光+异质集成” 三位一体工艺布局，立足陕西、辐射全国，持续开放成熟中试工艺能力，夯实光子产业自主可控工艺底座，以科技创新赋能全省新质生产力发展，助力西部光子产业高质量发展。
