三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

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三星电子与阿斯麦9月8日宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于DRAM大规模生产。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。

此外,三星电子已在日本横滨开设了一家先进的半导体封装研发中心。  三星之前曾宣布,计划从2024年起的五年内投资约400亿日元,用于扩建该实验室的研究基础设施并加强先进封装技术。

责编: 张轶群
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