中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）宣布，其Primo Domingo®气相高选择性刻蚀设备全球首台机已顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。公司称，这标志着其在高选择性刻蚀设备领域取得重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
随着芯片架构持续向三维化演进，高选择性刻蚀工艺成为三维器件制造的关键环节之一。针对GAA、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求，中微公司推出Primo Domingo®设备，面向下一代3D半导体器件的刻蚀应用。
据公司介绍，Primo Domingo®采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等环节实现系统整合，以提升晶圆表面刻蚀的均匀性和工艺重复性。设备采用集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快的脉冲气体精密控制；内部采用高抗腐蚀管路与特殊涂层材料，以应对高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。同时，该设备配备双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，并搭载中微公司量产的Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用需求。
该产品的成功付运，进一步丰富了中微公司在高端刻蚀设备领域的产品矩阵。公司表示，这将支撑集成电路产业在先进工艺节点上的技术攻坚，为客户实现更高性能、更小尺寸的器件制造提供关键工艺设备保障。
目前，中微公司刻蚀设备已全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，并覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。其中，介质刻蚀达到60:1、90:1的极高深宽比，硅刻蚀达到140:1的极高深宽比。公司行业首创的双反应台ICP刻蚀技术已达到0.2纳米的单原子水平。
在产品矩阵方面，中微公司已累计开发出54种高端半导体设备，包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，以及24种薄膜设备，涵盖MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备和CMP及先进封装、光学量检测设备等。截至2026年6月底，公司已累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产。
中微公司资深副总裁丛海表示，公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求，并可覆盖国内大多数刻蚀应用需求。目前，中微公司平台化战略已全面落地，产品覆盖度持续提升。未来五年，公司计划通过“有机生长和外延扩展”持续拓宽产品矩阵，覆盖包括刻蚀、薄膜、湿法和量检测设备等约60%以上的高端半导体设备市场，以及70%以上的先进封装设备市场。
从行业层面看，AI正驱动全球半导体设备支出快速增长。SEMI预计，2026年全球半导体设备销售额将达1659亿美元，同比增长23.2%；2028年将达到2295亿美元。全球晶圆厂加速扩产，三星与SK海力士规划到2030年DRAM产能接近翻倍。Counterpoint Research数据显示，国内存储龙头公司市场份额稳步提升，国产替代空间较大，国内半导体设备厂商有望迎来发展机遇。
中微公司表示，Primo Domingo®的成功付运，意味着国产刻蚀设备进入下一代三维器件制造的核心工艺环节，打破了海外厂商在高选择性刻蚀这一高端细分领域的长期技术垄断。随着AI算力与高性能计算需求持续增长，GAA、3D NAND、3D DRAM等先进架构加速渗透，刻蚀工艺复杂度和单晶圆设备用量同步提升，全球刻蚀设备市场规模预计将保持稳定增长。此前，这类先进三维架构的关键刻蚀工序高度依赖进口设备，是国内集成电路供应链自主可控的突出短板。随着中微公司等企业持续技术攻坚，国产半导体设备正从单一品类突破向全工艺环节的体系化竞争力升级。
