随大陆与韩国业者在半导体技术的差距越来越小，可能再度上演类似过去与美、日等地业者的专利战，SK海力士(SK Hynix)有鉴于此，近期已于专利分析团队中新成立大陆工作小组，以研读大陆商业法、专利法等相关法律。
据韩媒亚洲经济引述SK海力士内部消息，其大陆专利分析小组采取无固定编制、相关成员可自由参与研读大陆专利法等相关法律的模式。由于大陆半导体技术未及韩国，此为提前因应可能的专利诉讼，故采非正式编制形式。
回顾SK海力士半导体专利诉讼，自2000年起与美国半导体专利授权业者Rambus展开13年专利诉讼，最后支付Rambus高达2.4亿美元的权利金，换取Rambus在半导体上游技术专利使用权。2004年又与东芝(Toshiba)展开3年在日本、美国的NAND Flash专利侵权诉讼，直到2007年3月，双方才以专利交叉授权方式和解。
SK海力士与美、日业者间专利战方歇，对陆厂更未轻忽，因大陆半导体业挟政府政策支持正高速成长，2017年大陆国营紫光集团将投资1,000亿美元，达三星14兆韩元、SK海力士7兆韩元投资规模的10倍。大陆政府更预计2025年将半导体自制比重从20%提升至70%，并计划2020年自制技术难度高于DRAM的3D NAND Flash。韩国业界评估，韩国与大陆业者间的技术差距仅剩下3~5年差距，故SK海力士决定及早因应未来可能的专利纷争。
