集微网4月27日消息，澜起科技（上海）有限公司凭借“低功耗 DDR 系列内存缓冲控制器芯片设计技术及产业化”项目，荣获中国电子学会颁发的“2016年度中国电子学会科学技术奖一等奖”。
澜起科技低功耗 DDR 系列内存缓冲控制器芯片是为了解决高端服务器内存系统高速度、高带宽与大容量矛盾而设计的高端芯片，是面向新一代云计算数据中心的高速、大容量、高可靠性的存储控制方案。该系列芯片是澜起科技利用公司专有的高速、低功耗的技术平台而设计研发、具有完全自主知识产权。芯片完全符合 JEDEC 标准，可分别应用于 DDR3/DDR4 内存模组，满足云计算数据中心日益增长的对内存系统容量与速度的需求。
据悉，澜起科技是全球唯一在 DDR3和DDR4 两代内存全缓冲解决方案上得到行业认证的公司。此外，澜起科技是全世界仅有的两家能在服务器内存市场提供内存缓冲控制器芯片的公司之一，其内存缓冲控制芯片的销量占据了全球市场的半壁江山，打破国际大公司在高端服务器领域核心芯片的垄断，填补了国内企业在该领域无“芯”的空白，且澜起科技的内存控制器芯片拥有完全自主知识产权，有助于实现我国服务器硬件技术的安全、可控。
澜起科技成立于2004年5月，是中组部“千人计划”专家、美国电子电气工程师协会院士（IEEE Fellow）杨崇和博世创办的第二家公司。作为一家全球领先的集成电路设计企业，公司拥有完善的技术平台，其中包含射频、模拟前端、数字信号处理以及高速接口等独立自主知识产权的核心技术，能够实现持续创新、快速高效的产品设计和开发。在内存缓存控制器领域深耕12年，澜起科技致力于提供高性能、低功耗的 CPU-内存接口解决方案，以满足内存密集型服务器的应用需求。
近几年，澜起科技凭借其在高性能、低功耗CPU内存接口解决方案方面的技术优势，广泛开展国际、国内合作。2016年初，澜起科技与清华大学和英特尔在北京正式签署协议，宣布联手研发融合可重构计算和英特尔x86架构技术的新型通用CPU；2017年3月，澜起科技投资20亿元人民币与昆山经济技术开发区正式签署协议，开展高性能处理器、数据保护内存模组及其应用软件技术的研发。
同时，澜起科技曾于2014年11月，荣膺全球半导体联盟（GSA） 颁发的“2014年最佳财务管理公司奖”（获奖组别为年营收五亿美元以下的公司）。GSA 奖是全球半导体行业最具影响的奖项之一，主要授予全球半导体行业中取得卓越成就，有着清晰的发展策略、前景十分看好的公司。
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