近日，华虹宏力的“90纳米低功耗嵌入式闪存工艺”项目荣获“国家金卡工程2017年度金蚂蚁奖－最佳产品配套奖”。这是华虹宏力连续多年获得国家金卡工程建设的最高奖项——金蚂蚁奖，再次印证了华虹宏力在嵌入式非易失性存储器（eNVM）工艺技术上的领先地位。
据悉，此次获奖的90纳米低功耗嵌入式闪存(eFlash)工艺平台由华虹宏力自主研发，是全球最先进的200mm晶圆代工eFlash技术。该工艺可与标准逻辑工艺完全兼容，并能在同一制程兼容嵌入式电可擦除只读存储器；在确保高性能、低功耗和高可靠性的基础上，提供了极小面积的低功耗闪存IP；具有极高集成度的基本单元库，与0.11微米eFlash工艺相比，门密度提升30%以上。
基于上诉优点，采用华虹宏力90纳米低功耗eFlash工艺平台制造的芯片面积更小，与0.11微米工艺相比，单片晶圆上的芯片数量增加30%以上。华虹宏力90纳米低功耗eFlash工艺平台能够为SIM卡、电子秘钥（UKey）、单线协议SWP（Single Wire Protocol）SIM卡、社保卡、交通卡等智能卡产品、安全芯片产品以及微控制器（MCU）产品等，提供极佳性价比的芯片制造技术解决方案。
华虹宏力执行副总裁孔蔚然博士表示，“华虹宏力伴随金卡工程一起成长，通过持续在该技术领域的深耕发展，已成为智能卡IC生产领域的技术领导者、全球最大的智能卡IC代工者。随着90纳米eFlash技术的成功开发，我们会将越来越多的智能卡产品持续导入至90纳米。90纳米低功耗eFlash工艺以其尺寸小、功耗低、性能高的特点，具有很强的市场竞争优势，将推动新一代应用的快速发展。华虹宏力始终坚持技术创新，持续优化产品组合，在保持智能卡市场竞争优势的同时，将积极布局物联网引领的MCU市场，为全球客户提供高效及高性价比的增值解决方案。”
评论
文明上网理性发言，请遵守新闻评论服务协议
登录参与评论
0/1000