芯科技消息（文/罗伊）三五族半导体厂英特磊7日召开财报会，展望后市，董事长暨总经理高永中表示，在5G推动下，砷化镓、磷化铟产品线订单稳定成长，目前用于国防的锑化镓国际订单也持续增加，加上新厂效益显现，若中美贸易战不再造成太大影响，明年全年业绩仍有望年增10-20%。

回头展望第4季，高永中指出，延续第3季各产品线需求强劲，无论是在砷化镓高速VCSEL，5G相关HBT、PIN磊芯片或锑化镓红外磊芯片等量产订单均走在成长轨道，整体第4季将是今年业绩高峰，并带动今年全年同样较去年成长10-13%。

新订单方面，高永中透露，已取得大厂新的射频高频pHEMT订单，本季量产，预估明年贡献业绩；锑化镓红外磊芯片方面明年有望再取得国防大厂量产订单；磷化铟方面与客户进一步开发相关生物感测雷射芯片，预期都将帮助营收。

为应对客户需求强劲，英特磊将于新厂扩增用于磷化铟的生产机台认证，同时预计将锑化镓用的大MBE机台换成小型机台，并视订单需求决定再进一步增加第3台大型MBE机台，主要希望未来能更灵活调度产能。资本支出方面，高永中预估今年约200万美元，明年将加倍。

新研发方面，英特磊已与国外氮化镓专业公司合作、共同开发量产技术，高永中强调，随未来双方在技术、客户上「互通有无」，乐观明年起陆续可见效益显现。

英特磊第3季合并营收1.83亿元新台币（单位下同），季增8.7%、年增9.7%，毛利率34.8%，季减0.8个百分点、年增4.5个百分点；税后净利2125万元，季增26.7%，年大幅增209.6%，近5-6季高点，每股盈余0.58元。

英特磊主要产品为砷化镓、磷化铟及锑化镓磊芯片，以分子束磊晶法（MBE）生产芯片，与其他用化学气相沉积法（MOCVD）生产的厂商不同，在控制磊晶厚度上较有优势。

第3季产品比重方面，以砷化镓为最多，占49.3%，磷化铟占36.8%第二，锑化镓13.7%第三。毛利表现方面，锑化镓最优，磷化铟第二，接着是砷化镓。高永中会中多次表示，锑化镓是他中长期最看好的超级之星（Superstar），成长动能最好。（校对/ Jurnan ）

英特磊总经理高永中。图片来源：芯科技