据DIGITIMES报道，有报道称，三星电子的3nm GAA工艺良率仍远远落后于其目标。

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根据一份报道，三星正在努力提高其3nm GAA工艺良率，该工艺良率刚刚达到10%至20%之间。三星4nm工艺制造的良率也不尽如人意，仅为30%-35%。

市场消息人士认为，三星第一代3nm GAA工艺将首先用于三星自研芯片的制造，该工艺不太可能被外部客户采用。但该消息人士称，三星的第二代3nm工艺将为外部客户的芯片设计做好准备，预计明年开始量产。

该消息人士指出，台积电在转向GAA晶体管技术时是否会面临良率问题还有待观察。台积电极有可能拥有基于GAA的2nm，目标是在2025年投产。（校对/隐德莱希）