华邦电抢进先进封装市场，总经理陈沛铭昨（28）日指出，公司主要以Hybrid bond封装整合系统单芯片（SoC），结合自家生产的客制化AI DRAM产线，预期2024年将进入小量生产，2025年有把握进入量产阶段，

陈沛铭指出，华邦电规划进入先进封装市场，并会寻找哪一部分难度最高，不过封测厂进军的Micro Bond不会是华邦电锁定的市场，公司会朝向Hybrid Bond市场前进。

陈沛铭说，华邦电会提供自家研发的AI DRAM，结合客户自行采购的系统单芯片，再供应客户Hybrid Bond先进封装服务，他分析，目前各大存储器厂提供的高频宽存储器都是大容量，动辄32GB以上，但许多客户仅需要8G或16G相对较小容量的，加上客户又有先进封装需求，因此华邦电才会选择跨足此领域。

陈沛铭强调，Hybrid Bond先进封装难度高，在于直接用铜贴合逻辑运算芯片及存储器芯片，须掌握密度及热度，当前华邦电锁定间距9微米，若客户有需求也会提供20微米以上的服务。