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长鑫存储“半导体结构及其形成方法、存储器”专利公布

作者: 爱集微 赵碧莹 2024-03-14
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来源:爱集微 #长鑫存储#
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天眼查显示,长鑫存储技术有限公司“半导体结构及其形成方法、存储器”专利公布,申请公布日为2024年3月12日,申请公布号为CN117693185A。

本公开是关于半导体技术领域,涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器,本公开的形成方法包括:提供基底,基底包括衬底和绝缘介质层,衬底包括多个沿第一方向间隔分布的第一沟槽,绝缘介质层填充各第一沟槽;对基底进行图案化蚀刻,以形成多个沿第二方向间隔分布的第二沟槽,第二方向与第一方向相交;在各第二沟槽内分别形成字线结构;在相邻的两个字线结构之间形成气隙;对气隙进行封口。本公开的形成方法可减小寄生电容,降低功耗,提高产品稳定性。

责编: 爱集微
来源:爱集微 #长鑫存储#
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