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维安半导体“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布

作者: 爱集微 2024-05-20
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来源:爱集微 #维安半导体# #维安半导#
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天眼查显示,上海维安半导体有限公司“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布,申请公布日为2024年5月14日,申请公布号为CN118039639A。

本发明提供一种基于错位触发的可控硅保护器件,包括至少一插指单元,每一插指单元包括:衬底以及形成于衬底的第一面的外延层;第一N型阱区和P型阱区,分别形成于外延层中;第一N+区和第一P+区,分别形成于第一N型阱区中,第一P+区与第一N+区电性连接并作为可控硅保护器件的阳极;第三N+区,形成于P型阱区中,第三N+区的电性输出端作为可控硅保护器件的阴极;第二N+区和第二P+区,形成于外延层中,第二P+区位于第一N型阱区远离P型阱区的一侧,第二P+区与第二N+区相接触。有益效果:通过将导通路径与触发路径分离,提高器件鲁棒性。


责编: 赵碧莹
来源:爱集微 #维安半导体# #维安半导#
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