天眼查显示，上海维安半导体有限公司“具有高浪涌高稳定触发特性的可控硅器件、制备方法”专利公布，授权公告日为2025年5月6日，授权公告日为CN119630008B，申请日为2025年2月13日。

本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种具有高浪涌高稳定触发特性的可控硅器件及其制备方法。包括：正面基区金属电极和正面发射区金属电极之间有保护层，保护层中有多晶硅电阻区，分别连接两侧的电极进行分流。针对可控硅器件不能同时具备高触发电流、高抗浪涌能力的问题，在正面电极之间通过多晶硅电阻区形成了并联通路进行分流，从而提高触发电流IG值。该结构可使得器件选用更淡掺杂的基区和更宽面积的发射区，从而提升防浪涌能力和耐压性能。通过对多晶硅电阻区的参数进行限制，从而使得多晶硅电阻区具有负温度系数，对触发电流形成温度补偿，从而解决现有可控硅触发电流随温度变化而变化，及IG随着温度升高而电流降低的问题。