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智芯微电子“芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质”专利获授权

作者: 爱集微 2024-05-30
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来源:爱集微 #智芯微电子# #智芯微电#
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天眼查显示,北京智芯微电子科技有限公司近日取得一项名为“芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质”的专利,授权公告号为CN117556777B,授权公告日为2024年5月28日,申请日为2024年1月12日。

本申请公开了一种芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质,属于半导体技术领域。该方法包括:获取芯片的平面版图,并获取芯片流片的层级信息和光罩信息;基于层级信息和光罩信息,确定平面版图中芯片各层对应的层级几何参数;基于层级信息和光罩信息,进行逻辑运算,得到芯片的轻掺杂漏结构的层级几何参数;基于平面版图、芯片各层对应的层级几何参数以及轻掺杂漏结构的层级几何参数,进行三维建模,得到芯片的三维结构模型,三维结构模型包括轻掺杂漏结构对应的模块。该方法可以构建出包括LDD区域的三维结构模型,完整、准确地展示芯片的几何结构,保证模型中器件电学性能及可靠性的准确性,有助于提升芯片仿真精度。


责编: 赵碧莹
来源:爱集微 #智芯微电子# #智芯微电#
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*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

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