天眼查显示，华虹半导体（无锡）有限公司“超结-沟槽栅MOSFET器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年7月2日，申请公布号为CN118280842A。
本申请提供一种超结‑沟槽栅MOSFET器件及其制备方法，其中制备方法中，以硬掩膜层为掩膜，在深沟槽表面形成牺牲氧化层，接着利用牺牲氧化层作为注入衬垫层，通过至少两次高能注入在深沟槽底部的外延层中形成与深沟槽底壁保持一定间距的埋入型离子注入区，然后采用倾斜注入在深沟槽和埋入型离子注入区之间形成引出注入区以引出埋入型离子注入区，本申请由于深沟槽的存在，使得在同等注入能量下，本申请从深沟槽底壁注入的埋入型离子注入区嵌入到漂移区内的深度大于传统的直接从深沟槽之间的外延层表面注入的离子注入区的深度，可以使埋入型离子注入区更靠近衬底，充分利用埋入型离子注入区作为耗尽漂移区，改善了MOSFET器件的电性能。
