意法半导体（STM）和三安共同开展建设的重庆8英寸碳化硅（SiC）衬底工厂提前2个月开始生产。该工厂标志着对中国电动汽车供应链的重大投资，集成了汽车级SiC衬底、外延和芯片的研发和制造。三安意法碳化硅项目总投资约300亿元人民币，预计年营收将达到170亿元人民币。
重庆工厂将成为中国蓬勃发展的电动汽车市场SiC衬底的主要供应商，年产能为48万片8英寸SiC衬底和车规级MOSFET功率芯片。这里生产的SiC芯片将用于关键的电动汽车部件，例如主驱动逆变器和车载充电器。
三安还在长沙扩大其SiC生产足迹，计划在第一阶段每年生产20万片6英寸SiC晶圆，后期将扩大到48万片8英寸晶圆。
英飞凌和博世正在深化在中国的供应链联系，与当地衬底供应商达成长期合同。天岳先进正在扩大其产能，积极从6英寸产品转向8英寸产品。该公司的上海临港工厂正在加紧二期扩建，目标是年产96万片8英寸晶圆。
全球领先的半导体公司正在迅速进入8英寸SiC生产领域。自2023年以来，包括英飞凌、意法半导体、安森美、罗姆和博世在内的公司都已启动大规模生产认证。8英寸SiC产能的激增预计将满足日益增长的需求，预计到2025年市场将大幅增长。
中国供应商有望在未来几年主导8英寸SiC市场，并有可能超越其目前在6英寸领域的领先地位。（校对/张杰）
