天眼查显示，兆易创新科技集团股份有限公司近日取得一项名为“一种NOR型阻变存储器及制备方法”的专利，授权公告号为CN108878644B，授权公告日为2024年8月16日，申请日为2017年5月11日。
本发明实施例提供了一种NOR型阻变存储器及制备方法，包括：自下而上多个层叠设置的第一电极，第一电极之间设置有层间介质层，层间介质层延伸至第一电极的外侧，并包裹多个第一电极；贯穿多个层叠设置，以及层间介质层的至少一个第一通孔；第一通孔的孔壁上设置有阻变材料；设置在第一通孔内，且由阻变材料包裹的第二电极，第二电极与对应的字线电连接；本发明实施例提供了一种NOR型阻变存储器及制备方法，通过设置下电极包裹阻变材料，阻变材料与上电极包裹的结构，来实现数据的存储，可以制造出集成度更高的存储器，且制备工艺简单，成本降低。
