据天眼查显示，上海海栎创科技股份有限公司近日取得一项名为“节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法”的专利，授权公告号为CN118380026B，授权公告日为2024年9月17日，申请日为2024年6月19日。

本发明揭示了一种节省面积与更低功耗的SRAM结构及其自定时控制方法，所述SRAM结构包括多个串联的虚拟存储体；虚拟存储体设置在真实存储体的一侧。进一步的，虚拟存储体包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管；第一NMOS管的源极接地，漏极连接于第三NMOS管、源极和第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极。本发明能够缩短放电时间，从而能够缩短灵敏放大器的开启时间，还能够实现对时序控制电路的精确操作，从而能够解决传统电路中逻辑门延迟大、自控性差以及可靠性等问题，且有效节省功耗。