天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司近日取得一项名为“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”的专利，授权公告号为CN221918322U，授权公告日为2024年10月29日，申请日为2023年11月30日。

本申请公开了一种碳化硅复合籽晶及晶体生长装置，该碳化硅复合籽晶包括中间部和边缘部。边缘部连接于中间部的周向侧壁上，且沿中间部的周向环绕中间部设置；其中，中间部设置为偏轴籽晶，边缘部至少部分设置为正轴籽晶。上述，小平面区域为偏轴籽晶，籽晶表面的台阶能充当模板，使籽晶多型体在升华生长法中能得到复制，降低了小平面产生晶型转变问题的可能性。在非小平面区域即在碳化硅复合籽晶较边缘的区域具有正轴籽晶来生长碳化硅晶体。正轴籽晶台阶密度较小，改善了碳化硅复合籽晶边缘的非小平面区域台阶束聚集问题。使得非小平面区域不容易产生堆垛层错，通过上述碳化硅复合籽晶生长碳化硅晶体，能减少碳化硅晶体的缺陷。