12月17日，铭普光磁发布公告称，公司于近日取得一项中华人民共和国国家知识产权局颁发的发明专利证书，证书号：第7608651号，发明名称：一种端面耦合器及其制备方法，专利号：ZL202110994742.0，专利类型：发明专利，授权公告日：2024年12月17日。

据介绍，本发明公开了一种端面耦合器及其制备方法，涉及光通信技术领域，本发明的端面耦合器,包括硅衬底以及层叠设置于硅衬底上的下包层和上包层，下包层和上包层之间设置有同向光传输的第一波导和第二波导，第二波导在第一波导的相对两侧对称设置，第一波导包括沿光传播方向连接的第一锥波导和第一直波导，第一锥波导的锥尾与第一直波导的连接，第二波导包括沿光传播方向宽度逐渐增大的双层锥波导、第二直波导和沿光传播方向宽度逐渐减小的第二锥波导，第一锥波导的锥尖与第二锥波导的锥尾平齐，双层锥波导包括第二锥体和层叠设置于第二锥体上的第一锥体。本发明提供的端面耦合器，能够降低锥尖宽度对耦合损耗的限制，提高端面耦合器的转换效率。

铭普光磁表示，上述发明专利的取得不会对公司生产经营造成重大影响，但有利于充分发挥公司自主知识产权优势，完善知识产权保护体系，对公司开拓市场及推广产品产生积极的影响，形成持续创新机制，提升公司核心竞争力。