美国当地时间12月7日至11日，2024年IEEE 国际电子器件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM 2024）在旧金山举行，华南理工大学微电子学院陈荣盛教授课题组在会议上发表了题为“High Performance 3D ITZO DGTFTs and Their Application in Wearable Pulse Sensors”（《高性能3D ITZO双栅薄膜晶体管及其在可穿戴脉搏传感器的应用》）的研究论文。第一作者、微电子学院博士生林德朗在大会现场报告了相关研究成果，通讯作者为陈荣盛教授。该研究工作得到了香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室郭海成教授等的指导和支持。这是华南理工大学首次以第一单位在IEDM会议上发表论文。
双栅薄膜晶体管（DGTFTs）是一种在传统薄膜晶体管基础上改进的晶体管结构，具有更好的电学性能和更高的开关速度。此外，由于其可控的阈值电压调节特性，在传感器领域也得到了广泛的应用。该论文展示了陈荣盛教授课题组在金属氧化物双栅型薄膜晶体管的最新研究成果，提出了以正辛基三乙氧基硅烷自组装分子层（OTES-SAMs）作为溅射阻挡层的高介电常数顶栅介质层溅射制备技术以及创新性的立体沟道层结构，成功制备了性能达到国际先进水平的3D ITZO DGTFTs。该DGTFTs还表现出优越的顶栅电容耦合效应、稳定性以及机械柔韧性，使其适用于可穿戴健康监测设备。由其构成的可穿戴脉搏传感器可以探测出人体太阳穴、手腕以及脚踝等多处部位的脉搏波形，结合机器学习，可推断出相应的血压波形，在非侵入式人体生理信号探测领域表现出良好的应用潜力。
3D ITZO DGTFTs的结构、电学性能及其传感测试图
IEDM始于1955年，是国际学术界和产业界公认的微电子器件领域顶级会议，主要报道微电子器件的最新设计、先进制造、物理及建模等方面的最新研究进展，是著名高校、研发机构和产业界领先企业如Intel、TSMC、IMEC等报告其最新研究成果和技术突破的重要平台，在学术界及产业界享有崇高的学术地位和广泛的影响力，被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。
