天眼查显示，普冉半导体（上海）股份有限公司近日取得一项名为“NOR型闪存编程电路”的专利，授权公告号为CN114203242B，授权公告日为2024年11月29日，申请日为2021年12月2日。

本发明公开了一种NOR型闪存编程电路，其电源电压检测电路，用于检测电荷泵输入端的编程工作电源电压；其地址译码单元用于选择NOR型存储阵列中需要进行编程操作的存储单元，提供电荷泵输出端到需要编程的存储单元的电流通道；所述编程控制电路，实时编程工作电源电压越高，在一次编程脉冲中所述地址译码单元的电荷泵输出端到对应同一字线的需要编程的存储单元的位线的电流通道的最大允许连通数量越大。该NOR型闪存编程电路，能减小芯片面积，并且即便接到电荷泵输入端的编程工作电源电压大幅变化，也都能对NOR型闪存进行有效编程。