普冉半导体“集成电路上电复位电路”专利获授权

作者：爱集微 05-15 07:20

来源：爱集微 #普冉半导体#

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天眼查显示，普冉半导体（上海）股份有限公司近日取得一项名为“集成电路上电复位电路”的专利，授权公告号为CN114172500B，授权公告日为2025年3月14日，申请日为2021年12月2日。

本发明公开了一种集成电路上电复位电路，第一电阻、第二电阻串接在工作电源同第一NMOS管的漏端之间；第一NMOS管的栅端及第三NMOS管的栅端均接第一电阻同第二电阻的串接点；第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管的源端均接地；第一PMOS管漏端、栅端及第二PMOS管的栅端同接第三NMOS管的漏端；第一PMOS管源端及第二PMOS管源端均接工作电源；第二NMOS管的漏端接第二PMOS管的漏端，并作为上电复位电压输出端。本发明的集成电路上电复位电路，减小了上电复位电压随温度变化的偏差，温度补偿效果好，上电复位电压偏差小，功耗低。