天眼查显示，青岛聚能创芯微电子有限公司“一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法”专利公布，申请公布日为2024年12月13日，申请公布号为CN119133169A。
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法，应用于驱动集成电路封装领域，该结构包括：高电子迁移率晶体管，和设置在高电子迁移率晶体管一侧表面的若干三极管；高电子迁移率晶体管的栅极位于高电子迁移率晶体管靠向三极管的一侧表面；三极管的发射极设置在三极管靠向高电子迁移率晶体管的一侧表面，且上述发射极与上述栅极导电连接，剩余电极均与对应的引脚导电连接。本发明将三极管设置在高电子迁移率晶体管的一侧表面，将高电子迁移率晶体管中的栅极，设置在高电子迁移率晶体管靠向三极管的一侧表面，将三极管中的发射极，设置在三极管靠向高电子迁移率晶体管的一侧表面，在减少器件占用电路板面积的同时，减少了线路的寄生电感。
