1月16日，安森美 (onsemi) 官宣已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET)）技术业务及其子公司United Silicon Carbide。

安森美指出，SiC JFET技术的加入将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求。在电动汽车应用中，用基于SiC JFET的固态断路器替代多个组件，有助于提高能效和安全性。在工业终端市场，SiC JFET将支持某些储能拓扑和固态断路器应用。

安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示，此次收购进一步加强了安森美在功率半导体领域的领导地位，我们会为客户提供颠覆性和市场领先的技术，以解决他们在人工智能数据中心、汽车和工业市场中最紧迫的功率密度和效率提升难题。

2024年12月，安森美宣布，已达成一项协议，以1.15亿美元现金从Qorvo收购碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务，包括United Silicon Carbide子公司。该交易受常规成交条件的约束，预计将在2025年第一季度完成。

据悉，SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势，SiC JFET的采用能够加快开发速度，减少能耗并降低系统成本，为电源设计人员和数据中心运营商提供显著的价值。