天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“SONOS存储器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年12月27日，申请公布号为CN119212394A。

本发明提供一种SONOS存储器件及其制备方法，包括：提供基底，基底上形成电荷存储层、多晶硅栅材料层和硬掩膜层；自对准刻蚀工艺在硬掩膜层中形成两个分立的氧化层；自对准刻蚀去除两个氧化层暴露出的多晶硅栅材料层，以形成两个分立的多晶硅栅极；形成侧墙，隔离侧墙填充两个多晶硅栅极之间的间隙；边侧侧墙覆盖两个多晶硅栅极各自远离隔离侧墙一侧的侧壁；向边侧侧墙各自远离隔离侧墙一侧的基底中进行源漏重掺杂离子注入。本发明增大存储密度，省去两个存储管之间共用的源端以及各自靠近源端一侧的侧墙，直接用隔离侧墙来隔离两个存储管，可有效缩减存储单元的面积。两个存储管使用自对准工艺形成，一致性高，提升存储单元的均一性。