天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“改善台面结构削角的方法”专利公布，申请公布日为2025年2月28日，申请公布号为CN119542136A。

本发明提供一种改善台面结构削角的方法，提供衬底，在衬底上形成ONO层，在ONO层及其下方的衬底上形成深沟槽；利用热氧化的方法在深沟槽表面形成第三氧化层，利用回刻蚀的方法控制氮化层相对于台面结构的突出量为第一长度；依次在深沟槽中形成第四氧化层和第一多晶硅层，回刻蚀第一多晶硅层至所需高度；在第一多晶硅层上形成第五氧化层，在第五氧化层上形成光刻胶层，光刻胶层相对于第一多晶硅层的突出量为第二长度；以光刻胶层和氮化层作为刻蚀阻挡层，利用刻蚀的方法在台面结构和深沟槽之间形成浅沟槽，去除光刻胶层和剩余的ONO层；依次在浅沟槽中形成第六氧化层和第二多晶硅层，回刻蚀第二多晶硅层至所需高度。本发明能够改善台面结构的削角问题。