项目信息
申报院校：西安交通大学
项目名称：高速光电子集成芯片
项目简介
1.本项目通过采用廉价CMOS工艺，芯片制造成本较现有SiGe产品降低一个数量级。同时，CMOS流片周期为2个月，较SiGe流片时间(6个月)缩短3倍，极大加速产品研发及迭代时间。目前市场已有产品均基于SiGe工艺，不但成本高、制造周期长，而且国内无高速SiGe芯片代工厂。业界有公司尝试采用CMOS进行此类产品设计，目前均未有成功报道。
2.基于课题组10余年的研发积累和深度产学研合作，通过独有的芯片设计技术和努力，首次在CMOS平台突破了低噪声、快速突发相响应、大动态突发输入范围、低功耗等技术难关芯片整体性能较同类产品有明显优势。测试结果表明，芯片实现了10G PON Class C+级性能。
所属类别
半导体
市场前景
随着光纤接入网等快速发展，千兆入户已开始大规模商用。预计未来10年，市场将持续高速增长。
项目需求
联合研发、技术入股、授权
合作咨询请联系韩先生：18918459526
