英飞凌已出货首批基于更大的200毫米晶圆的碳化硅（SiC）功率器件。
几乎所有SiC器件都采用150毫米晶圆制造，而使用更大的晶圆面临重大挑战。采用200毫米晶圆制造器件是降低SiC器件成本的关键一步，其他公司也在开发200毫米技术，尤其是Wolfspeed、意法半导体（ST） 和安森美（onsemi）以及罗姆、三菱电机。
高压器件是在英飞凌位于奥地利菲拉赫的工厂制造的，但本季度这些器件的出货也是英飞凌马来西亚居林制造基地从新建的Module 3中的150毫米晶圆过渡到200毫米晶圆的关键一步。
菲拉赫和居林的生产基地共享技术和工艺，可实现SiC和氮化镓（GaN）制造的快速提升和平稳高效的运营。
英飞凌首席运营官Rutger Wijburg表示：“我们的SiC生产正按计划推进，我们为向客户推出的第一批产品感到自豪。通过分阶段提高菲拉赫和居林的SiC产量，我们正在提高成本效率并继续确保产品质量。同时，我们正在确保制造能力能够满足对基于SiC的功率半导体的需求。”（校对/李梅）
