颠覆AI与48V电源，英诺赛科新品震撼登场

英诺赛科宣布推出新产品 INN100EA035A，这是一款 100V GaN 功率器件，采用先进的双冷却 En-FCLGA 封装，与传统的单冷却封装相比，导热率高出 65%。改进的热性能降低了工作温度并提高了效率，从而实现更高的功率密度，使其成为 AI 服务器 48V DC-DC 电源传输的理想选择。

INN100EA035A 及En-FCLGA封装产品

INN100EA035A 是一款100V E-Mode氮化镓产品，采用En-FCLGA3.3X3.3封装，Rdson_Max 3.5mohm，双面散热，且具有低导阻、低栅极电荷、低开关损耗以及零反向恢复电荷等特点，这一特性对于效率要求极高的AI和48V电源应用尤为重要。与传统的MOSFET方案相比，该器件的功率密度提升20%；与业界最先进的MOSFET相比，系统功率损耗可降低大于35%。

产品系列

由于其性能和特性，INN100EA035A 被设计用于 AI GPU 电源输送和多种其他 48V 应用。英诺赛科还发布了基于该技术的产品系列，采用 Dual-Cool 封装，Rdson（Max25C）范围从 1.8mohm 到 7mohm，底部源极占位面积与漏极占位面积相匹配，可轻松用高性能低成本 GaN 解决方案取代传统的 Si MOSFET 解决方案。

• En-FCLGA3.3X3.3 P2P Source down MOS

• En-FCLGA 5X6 P2P Drain down MOS

INN100EA035A规格书首页

卓越性能

• 超低导通电阻，能量损耗大幅降低

• 超低驱动和开关损耗，减少系统能耗，提高系统响应速度

• 紧凑size，在空间有限的应用场景中具有极大优势

• 双面散热，提高散热效率，有效提升系统的可靠性和稳定性

应用优势

• PCB Layout友好，垂直电流路径设计，最小化PCB寄生电阻

• 系统功率损耗降低大于35%，与业界最先进的MOSFET相比，功率损耗降低大于35%

• 功率密度提升20%，与传统MOSFET方案相比，该器件功率密度提升20%

应用领域

• AI与48V电源领域

这款全新的功率氮化镓器件凭借其业界首创的技术、卓越的性能以及显著的系统应用优势，必将在AI和48V电源领域掀起一场技术革命。我们相信，它将为客户带来更高的价值，推动行业的不断发展和进步，开启AI和48V电源领域的新篇章！

若想进一步了解产品详情，点击此处。