集邦科技今日发布最新调查报告指出，台积近日宣布提高在美国的先进半导体制造投资，总金额达1650亿美元，若新增的三座厂区扩产进度顺利，预计最快2030年后才会陆续进入量产，2035年台积电在美国产能推升占总产能至6%，但在台湾的产能占比仍将维持或高于80%。
集邦表示，为应对潜在的地缘政治风险，台积电在2020年宣布于美国Arizona兴建第一座先进制程厂时，便拟定在当地设置六座厂区的规划。但随着地缘政治风险和关税问题越演越烈，必须加快扩厂推进时程。
集邦进一步表示，2018年以后，全球贸易纷争、新冠疫情等加速供应链分化，各地政府亟欲建立在地产能。根据集邦调查，2021年全球晶圆代工产能仍以台湾为主，先进制程和成熟制程占比分别为71%和53%。预期经过海外一连串的扩产行动后将出现变化，2030年台湾的先进制程产能占比将下降至58%，成熟制程则是30%，而美国和中国大陆分别在先进和成熟制程市场积极扩张。
集邦指出，由于美系客户占台积电先进制程采用量比例最高，扩大投资美国的计划势在必行，这次除宣布增设三座先进制造厂区，更扩及至HPC所需的两座先进封装厂和研发中心，未来亚利桑那州（Arizona）将成为TSMC于海外的先进科技园区，以完善客户需求。
台积电在美国扩大投资引发技术外移的担忧，但集邦依台积电提出的产能和制程布局，亚利桑那州厂P1-3规划的产能远低于台湾厂区，后者的重要性不言而喻。尽管扩张美国产能可以降低过度集中制造的风险，但潜在成本压力恐将转嫁至美系IC客户，导致零组件甚至终端产品售价上涨，进而影响消费者购买意愿。
集邦观察，台积电亚利桑那州第一座厂刚量产，P2、P3仍在建设中，预计2026年至2028年间启动量产。近日宣布新增的厂区实际执行时间尚待观察，短期内尚未对产业造成实质的冲击，中长期是否会因成本压力而导致成本转嫁仍值得关注。
