天眼查显示，杰华特微电子股份有限公司“功率器件及其制造方法”专利公布，申请公布日为2025年2月14日，申请公布号为CN119451210A。 

本公开提供了一种功率器件及其制造方法，该功率器件包括：半导体层，包括沿第二表面朝向第一表面的方向依次邻接的第一掺杂区、第二掺杂区、阱区和第三掺杂区；隔离部，自半导体层的第一表面伸至第二掺杂区中，并与阱区和第三掺杂区邻接；以及栅极导体，位于隔离部中，半导体器件还包括：电阻结构与二极管结构，电阻结构和/或二极管结构的至少部分位于隔离部中，电阻结构用于构成第一电阻，二极管结构用于构成第一二极管，第一电阻的一端与第三掺杂区电连接，第一电阻的另一端与第一二极管的阴极电连接，第一二极管的阳极与阱区电连接。通过在功率器件中设置额外的电阻与二极管，从而调节功率器件中不同区域的电势，进而降低功率器件的导通压降。