天眼查显示，润新微电子(大连)有限公司近日取得一项名为“晶圆过渡结构、晶圆及其制备方法、老化测试装置及老化测试方法”的专利，授权公告号为CN118866878B，授权公告日为2025年2月14日，申请日为2024年9月24日。

本发明属于半导体技术领域，公开了晶圆过渡结构、晶圆及其制备方法、老化测试装置及老化测试方法，晶圆过渡结构包括多个芯片，其一侧具有过渡层，每个芯片均包括源电极、漏电极、栅电极、第一电阻、第二电阻、第一电阻电极、第二电阻电极、场板、连接段以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，第二介电层靠近过渡层；连接段用于连接栅电极与第一电阻电极，漏电极还与过渡层连接；场板与栅电极及连接段连接，第一电阻电极与栅电极及第一电阻连接，第一电阻电极还与第二电阻或衬底连接，第一电阻阻值大于第二电阻阻值；所有芯片的源电极均与衬底并联连接，过渡层用于使所有芯片的漏电极并联连接。