三星电子承诺今年将加强其在高带宽存储器（HBM）芯片市场的地位，以回应股东对其在利润丰厚的人工智能（AI）领域表现不佳的批评。
三星芯片业务负责人Jun Young-hyun（全永铉）表示，三星计划最早在今年第二季度供应增强型12层HBM3E，并计划在下半年生产尖端的HBM4芯片。在三星年度股东大会后，他正式被任命为三星的联席CEO。
全永铉承认，三星未能在HBM市场取得早期领先地位，导致其落后于竞争对手SK海力士。他强调，三星不会在下一代HBM4和定制芯片上重蹈覆辙。HBM4内存预计将集成到英伟达即将推出的Rubin GPU架构中。SK海力士正积极将自己定位为英伟达的主要HBM4供应商，并宣布已提前向主要客户交付全球首批12层HBM4样品。
三星已决定修改HBM3E芯片的设计以获得英伟达的批准。英伟达的批准已酝酿已久，三星正在努力追赶SK海力士。在今年拉斯维加斯举行的CES大会上，英伟达CEO黄仁勋表示，三星将不得不设计一种新设计，“但他们可以做到。他们工作得非常快。他们非常致力于做到这一点。”
全永铉还预测，在强劲的AI和移动需求的推动下，未来几个季度内存市场将复苏，他预计这将在下半年提振三星的盈利。
HBM对于高性能计算任务至关重要，它为内存制造商提供了一种有利可图的方式，让他们能够参与人工智能训练和开发方面的大量支出。与其他类型的内存不同，HBM的生产难度使其利润丰厚，而且不易受到供需平衡大幅波动的影响。
