据韩媒报道，SK海力士今年将进行重大投资，计划投资超过20万亿韩元（约合137亿美元），用于扩建专注于高带宽存储器（HBM）生产的工厂。这标志着该公司的历史性里程碑，此前其投资额从未超过20万亿韩元。SK海力士在2024年业绩报告电话会议上强调了今年将比上一年增加投资规模的承诺，尤其是在HBM领域。

半导体行业具有周期性，受技术进步和全球经济状况的影响，市场经历了需求高峰期和低迷期。SK海力士的战略举措正值大型科技公司对人工智能（AI）和数据中心技术的投资推动，对HBM等先进存储器解决方案的需求激增之际。作为向英伟达供应8层、12层HBM3E产品的主要供应商，SK海力士已做好充分准备，将从该不断增长的市场中获利。

这一积极的投资策略旨在巩固SK海力士新获得的DRAM市场领先地位。市场研究公司Counterpoint Research数据显示，SK海力士今年第一季度的DRAM销售额市场份额为36%，超过三星电子的34%。高价值的HBM在SK海力士跃居榜首的过程中发挥重要作用。

SK海力士表示：“投资规模将比去年有所增加，重点将放在HBM领域。” 这一重点符合公司的整体战略，即在AI和大数据技术对快速数据处理解决方案的需求日益增长的背景下，扩大产能并保持竞争优势。

SK海力士的历史投资模式有助于理解今年计划支出的重要性。2017年，该公司首次投资超过10万亿韩元。随后，在2018年的半导体超级周期以及2022年疫情推动的繁荣时期，该公司进行了大规模投资。由于AI数据中心投资需求的激增，SK海力士2024年的投资额达到近18万亿韩元。（校对/李梅）