格罗方德（GF）将在未来几年斥资11亿欧元，使其位于德国德累斯顿的芯片工厂的产量翻一番。

此前，格罗方德宣布已为美国纽约州马耳他CMOS工厂和佛蒙特州氮化镓（GaN）工厂额外注资30亿美元。该公司还宣布为这些工厂以及最近启动的纽约先进封装和光子学中心注资130亿美元。然而，美国政府正在撤回对佛蒙特州和封装中心的支持。

德累斯顿晶圆厂的投资将使格罗方德晶圆年产量在未来几年翻一番，达到150万片。该晶圆厂是用于功率和射频器件的22nm 22FDX FD-SOI低功耗工艺技术的关键，同时也为汽车和物联网MCU（微控制器）等器件提供28nm、40nm和55nm工艺。

该晶圆厂目前拥有6万平方米的洁净室空间，员工约3200人。该公司一直在寻求第二个IPCEI（欧洲共同利益重要项目）的10亿欧元资助，该项目已于2023年6月获得批准。该交易获得了德国政府数亿欧元的支持。

格罗方德与Indie Semiconductor建立了战略合作伙伴关系，基于22FDX工艺开发77GHz和120GHz雷达系统级芯片（SoC），用于安全关键型高级驾驶辅助系统（ADAS）芯片。此外，格罗方德还与博世合作，开发基于22FDX工艺的单芯片雷达传感器。

格罗方德还与Ayar Labs合作，利用单片光子学平台开发业界首款UCIe光互连芯片。

竞争对手方面，德国政府还为位于德累斯顿的英飞凌智能电源晶圆厂提供10亿欧元的支持。

与此同时，台积电也正在与恩智浦半导体和博世合作，在德累斯顿建设一座采用类似工艺技术的晶圆厂ESMC。ESMC专注于28nm和22nm工艺技术，并获得50亿欧元的欧洲补贴。（校对/赵月）