AMD的新款人工智能（AI）加速器MI350系列将搭载三星电子12层HBM3E芯片。这对于三星电子来说是一个好消息，因为三星电子在英伟达的HBM认证方面一直遭遇拖延。此外，人们对AMD将于明年推出的下一代MI400系列HBM4的供应也寄予厚望。

6月12日，在圣何塞会议中心举行的AI Advancing 2025大会上，AMD宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X将搭载三星和美光的12层HBM3E芯片。虽然此前三星电子一直在向AMD供应HBM，但这是AMD首次正式确认。

MI350X和MI355X本质上是相同的芯片，仅在散热设计上有所不同，这会影响它们的最大运行速度。两款产品都将配备288GB的内存容量。上一代MI300X为192GB，而MI325X为256GB。这意味着内存容量比上一代提升12.5%。

此外，在捆绑8个图形处理单元（GPU）的平台级别，将应用总计2.3TB的HBM3E显存。AMD还宣布了一项战略，旨在提高捆绑多达128个GPU的服务器机架的销量。预计这将需要三星HBM进行大规模供应。

HBM4市场也有望于明年全面开放。AMD表示，将于明年推出的MI400系列将为每个GPU配备432GB的HBM4显存。Helios服务器机架配置72个MI400系列GPU，每个机架将集成31TB的HBM4显存，其AI计算能力是当前一代MI355X服务器机架的10倍。AMD CEO苏姿丰强调：“它的计算能力与英伟达的Vera Rubin服务器机架相当，但HBM的容量和带宽是后者的1.5倍。”

随着JEDEC规范的最终确定，HBM4正进入全面生产阶段。三星电子和SK海力士计划在2025年底前开始量产HBM4。尤其值得一提的是，三星电子在当前一代HBM竞争中落后，决心凭借HBM4扭转乾坤。SK海力士和美光正在基于第五代10nm级（1b）工艺开发HBM4，而三星电子则瞄准基于更先进的第六代10nm级（1c）工艺的高性能，力图重夺内存市场领导者地位。据市场调研公司Omdia数据，今年第一季度，SK海力士占据全球DRAM市场的36.9%，三星电子紧随其后，市场份额为34.4%，美光则为25%。

业内人士评论道：“如果三星电子无法凭借基本规格正在发生变化的HBM4东山再起，三星电子与SK海力士之间的差距只会进一步扩大。AMD也在试图通过其全新设计的MI400系列缩小与英伟达的差距，三星电子必须巩固与MI350系列建立的合作伙伴关系。”（校对/李梅）