据报道，业界6月19日透露，三星电子上个月在第6代10nm（纳米）级DRAM晶圆性能测试中，取得了50 ~ 70%的成品率。与去年同一产品不到30%的收益率相比，这标志着实质性的进步。

三星研究团队为了提高芯片的效率和生产效率，实施了各种新的结构变化。三星原计划在去年年底开始大规模生产第6代10nm级DRAM，但三星冒着重新设计芯片的风险，尽管可能会推迟一年以上。该公司为了在最终测试结束后立即投入生产，采取了提前准备生产线的战略。业界有关人士表示：“三星电子拥有比SK海力士和美光科技更丰富的有形和无形资源。它们能否复制过去的战略，即利用‘规模经济’来提高成本竞争力，然后通过庞大的数量向竞争对手施加压力，还有待观察。”

报道指出，预计此次量产将大大提高三星电子计划年内量产的第6代HBM （HBM4）的竞争力。作为此次投资对象的平泽第4工厂DRAM生产线生产的产品将用于移动（LPDDR）和服务器应用。HBM4的第6代10nm级DRAM生产设施位于平泽第3工厂。业界有关人士表示：“DRAM的核心——存储单元的核心结构与移动/服务器DRAM和HBM非常相似，因此这将对HBM的DRAM的完成产生积极影响。”以此次成功量产为基础，三星电子有可能对平泽3号工厂的HBM4工艺进行大规模投资。（校对/李梅）