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消息称三星下一代DRAM良率已达50 ~ 70%

作者: 赵月 06-20 11:28
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来源:爱集微 #三星# #DRAM# #HBM#
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据报道,业界6月19日透露,三星电子上个月在第6代10nm(纳米)级DRAM晶圆性能测试中,取得了50 ~ 70%的成品率。与去年同一产品不到30%的收益率相比,这标志着实质性的进步。

三星研究团队为了提高芯片的效率和生产效率,实施了各种新的结构变化。三星原计划在去年年底开始大规模生产第6代10nm级DRAM,但三星冒着重新设计芯片的风险,尽管可能会推迟一年以上。该公司为了在最终测试结束后立即投入生产,采取了提前准备生产线的战略。业界有关人士表示:“三星电子拥有比SK海力士和美光科技更丰富的有形和无形资源。它们能否复制过去的战略,即利用‘规模经济’来提高成本竞争力,然后通过庞大的数量向竞争对手施加压力,还有待观察。”

报道指出,预计此次量产将大大提高三星电子计划年内量产的第6代HBM (HBM4)的竞争力。作为此次投资对象的平泽第4工厂DRAM生产线生产的产品将用于移动(LPDDR)和服务器应用。HBM4的第6代10nm级DRAM生产设施位于平泽第3工厂。业界有关人士表示:“DRAM的核心——存储单元的核心结构与移动/服务器DRAM和HBM非常相似,因此这将对HBM的DRAM的完成产生积极影响。”以此次成功量产为基础,三星电子有可能对平泽3号工厂的HBM4工艺进行大规模投资。(校对/李梅)

责编: 李梅
来源:爱集微 #三星# #DRAM# #HBM#
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