市场分析机构Counterpoint最新预测显示，长鑫存储科技有限公司(CXMT)今年DRAM出货量将同比增长50%，其在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四季度的8%。

长鑫存储不仅在其主要传统产品DDR4和LPDDR4上提升产量，在DDR5和LPDDR5产品上也实现显著增长。Counterpoint预测，长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%，在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%。

根据TrendForce最新报告，中国产品在今年第三季度DRAM和NAND存储器合并市场的出货量份额预计将达到10.1%，这是中国半导体企业首次突破10%的市场份额。自去年第二季度首次超过5%门槛(5.4%)以来，仅一年时间市场份额就几乎翻了一番。

尽管增长迅速，长鑫存储在尖端DRAM制造所需的高k金属栅极工艺方面仍面临困难。该工艺是解决精细工艺中不可避免的漏电流问题的创新技术。

目前，DRAM市场主要由三星电子和SK海力士等韩国半导体制造商主导，长鑫存储正在这一领域迅速扩大市场份额。