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三星平泽P4进展:PH1变身NAND/DRAM混合工厂

作者: 集小微 06-25 20:08
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来源:爱集微 #三星# #平泽# #P4#
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据媒体报道,三星电子平泽第四园区工厂(P4)第二期(PH2)和第四期(PH4)的投资步伐正在加快。预计总投资约7万亿韩元的外部建设将于今年下半年正式启动。PH1最初设计为NAND闪存工厂,现已转变为同时生产NAND和10纳米级第四代(1a)DRAM的混合工厂,目前设备安装已进入收尾阶段。

三星电子内部仍在讨论是将PH2用作DRAM生产基地,还是将其改造成混合晶圆厂。

去年有消息称,平泽P4是一个由四个阶段组成的最尖端半导体生产工厂,包括代工和存储生产线。三星原本计划首先建设存储生产线PH1,然后是代工生产线PH2,接着是存储生产线PH3,最后是代工生产线PH4,以完成P4的建设。

责编: 陈炳欣
来源:爱集微 #三星# #平泽# #P4#
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