投资19万亿韩元!SK海力士将在清州建设先进封装厂

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据韩媒报道,SK海力士将在韩国忠清北道清州市投资19万亿韩元(约合129亿美元,约合人民币900亿元)建设其第七座半导体后端工厂。此举旨在响应政府的区域均衡发展政策,同时提升供应链效率和未来竞争力。

SK海力士1月13日宣布,决定对先进封装工厂P&T7进行新的投资,以稳定响应全球人工智能(AI)存储器需求,并优化清州工厂的生产。

P&T7工厂计划建于清州科技城工业园区内一块7万坪的土地上。工程将于2026年4月开工,预计2027年底竣工。总投资额为19万亿韩元。SK海力士此前已拆除清州原LG 2号工厂旧址上的建筑物,该地块是该公司之前收购的,用于建设P&T7工厂。随后,该公司根据半导体超级周期(繁荣)市场的情况,最终确定了建设时间和投资规模。

P&T7是一家先进封装厂,负责将前端晶圆厂生产的半导体芯片封装成产品,并进行最终的质量验证。P&T7建成后,该公司将拥有三个先进封装中心:位于首都圈京畿道利川市的工厂、位于非首都圈的清州工厂以及位于美国印第安纳州西拉法叶的生产基地。

SK海力士表示:“先进封装工艺非常重要。考虑到与前端流程、物流和运营稳定性的衔接,经过对国内外多个候选地点的考察,考虑到区域均衡发展以及提升半导体产业竞争力的需要,我们最终决定在清州建设P&T7工厂。”

先进封装是指将经过前端工艺处理的晶圆加工成单个芯片,并进行后端加工,最终制成成品的过程。在半导体行业,随着工艺小型化带来的性能提升达到极限,封装工艺的重要性日益凸显,以克服性能瓶颈。特别是对于SK海力士的旗舰产品——高带宽存储器(HBM)而言,确保具备解决散热和变形问题的封装技术至关重要,因为它是通过堆叠多个DRAM芯片制成的。

通过这项投资,SK海力士位于清州的园区已发展成为一个综合性半导体产业集群,涵盖从NAND闪存、HBM和DRAM等半导体生产到先进封装的各个环节。清州园区拥有生产NAND闪存的M11、M12和M15晶圆厂,负责后端加工的P&T3工厂,以及投资20万亿韩元用于打造下一代DRAM产能的M15X工厂。M15X的洁净室已于2025年10月提前启用,目前正在进行设备安装。P&T7封装厂预计将在将前端晶圆厂M15X生产的DRAM商业化为HBM的过程中发挥重要作用。

SK海力士负责人表示:“通过对清州P&T7的投资,我们旨在为加强国家中长期产业基础、构建首都圈与各省市共同发展的格局做出贡献,超越短期效率或优劣势的考量。在对清州先进封装晶圆厂的投资中,我们也在密切关注能够减轻企业投资负担、提升政府当前大力推进的大规模长期投资执行能力的制度条件。”(校对/赵月)

责编: 李梅
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