拓芯章·见未来|拓荆科技SEMICON China 2026新品发布会圆满落幕 持续产品多维度创新迭代

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2026年3月25日,SEMICON China 2026展会首日,国内半导体设备龙头企业拓荆科技(股票代码:688072),在上海新国际博览中心E7馆7301展位隆重举办“拓芯章·见未来”2026新品发布会。

发布会伊始,拓荆科技副总经理、产品事业部总经理宁建平女士登台致辞,她表示,拓荆科技专注于集成电路量产型 PECVD 、 ALD 、Gap-fill 及 3D IC 相关研发,其产品已进入全国30个城市的100条芯片生产线。拓荆始终秉承着“生产一代、在研一代、预研一代”的产品策略,持续高研发投入及产品升级。2026年,拓荆将重点专注先进制程设备及工艺研发,满足客户特殊应用的需求,为客户提供适配的技术解决方案。

作为本次发布会的核心环节,拓荆科技各事业部总经理依次登台,详细解读了四大系列新品的技术亮点、核心优势及应用场景,让现场嘉宾全方位了解新品的产业价值。

ALD系列新品由拓荆科技ALD事业部总经理刘武平先生讲解,经过迭代升级,本次发布了两款原子层沉积新品 VS-300T Astra-s SiN 和 PF-300T Altair TiN ,性能先进,同时满足高产能需求并具有优异的坪效比和 CoO 。

PECVD 事业部总经理于棚先生向现场观众介绍了 PECVD 系列新品,他表示,经过10余年的深耕,拓荆科技的 PECVD 设备装机量及工艺覆盖率均达到国内第一,实现 PECVD 工艺全覆盖。2026年,拓荆带来了 PF-300L Plus nX ,应用领域包括先进逻辑后道层低介电薄膜,并兼容逻辑≤28nm后道层间低介电薄膜,实现介质薄膜的“低”介电常数和“高”机械强度。

Gap-fill 系列产品由事业部总经理杨家岭先生讲解,本次发布的 NF-300M Supra-H ACHM-VI ,是一款在先进存储与先进逻辑制程中应用于图形传递修饰,刻蚀阻挡层及图形平坦化处理的设备,并拥有业界坪效比最高和成本(CoO)最低的优异表现。

3D IC 系列新品涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品,重点聚焦先进逻辑芯片 Chiplet 异构集成、三维堆叠及 HBM 相关应用。Pleione 300 HS 芯片对晶圆熔融键合设备兼容多种芯片尺寸和厚度,能实现自动更换拾取与键合模组,产能高于现有产品的50%。Lyra 300 eX 新一代晶圆激光剥离设备,应用于先进逻辑(BSPDN)和先进存储(VCT)背面工艺,是无金属污染、低应力、无热影响的设备与工艺的完整解决方案。值得注意的是,此次发布会拓荆还发布了一款全球首创的 Volans 300 键合空洞修复设备,解决键合界面空洞修复难题,提高 3D IC 产品良率和产线稳定,充分体现了公司的技术引领能力。

此次“拓芯章·见未来”2026新品发布会的圆满落幕,不仅是拓荆科技自主研发成果的一次集中展示,更是公司践行企业使命、聚焦国家重大技术创新需求的生动体现,现场嘉宾纷纷表示期待未来与拓荆科技深化合作,共同推动半导体产业发展。

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