AI通过先进逻辑、HBM记忆体及CoWoS先进封装三大路径，推升12英寸矽晶圆消耗量，过去矽晶圆厂规划产能时，未充分纳入的新需求快速浮现，成为2026年～2028年矽晶圆供需转紧的重要推手。
法人分析，第一大需求来自先进逻辑。随AI GPU、ASIC晶粒面积大型化，加上制程快速向5nm、3nm及2nm推进，先进制程投片量同步扩张。
根据估计，7／5／3／2nm月投片量将由2022年的18万片，大幅增加至2027年的83万片。
第二大需求则是HBM。相较传统DRAM，HBM堆叠层数愈高，晶圆消耗量也同步放大。
以12层HBM3E以及HBM4为例，法人估算，除12片DRAM晶圆外，另需1片12吋逻辑晶圆制作Base Die，合计13片；若是未来进入16层产品，晶圆消耗量进一步增加至17片。
据估计，HBM对矽晶圆消耗量2026年年增39％，2027、2028年再分别成长23％、28％。
尤其自2027年起，SK海力士、美光等新厂产能开出，将成为12吋矽晶圆需求的重要增量。
第三大需求则来自CoWoS先进封装。 AI芯片除GPU、ASIC以及HBM本身需要矽晶圆外，CoWoS所使用的矽中介层同样由12吋矽晶圆制成。
法人估计，CoWoS产能2024～2027年年复合成长率高达73％，使AI对矽晶圆的需求由前段芯片制造一路延伸至先进封装。
目前12吋已占全球矽晶圆出货面积约77％，90奈米以下的手机SoC、CPU、GPU、DRAM、NAND、HBM及AI芯片均以12吋为主。
法人指出，AI伺服器同时拉动「先进逻辑＋HBM＋CoWoS矽中介层」三重需求，矽晶圆已由过去主要跟随半导体景气循环，转向AI驱动的新需求结构。
