【编者按】作为半导体行业的年度标杆盛会，第八届IC风云榜立足产业技术迭代与国产替代的关键窗口期。本届榜单全新升级，设置70项重磅大奖，覆盖AI、具身智能、智能汽车等八大核心领域，并新增优化多项特色奖项。评委会由百余家半导体投资联盟单位及500+行业CEO组成，获奖名单将在2027半导体投资年会盛典揭晓，全力挖掘产业标杆、树立行业创新典范。
【候选企业】 意芯微电子材料（南通）有限公司（简称“意芯微”）
【候选奖项】 年度技术突破奖
【候选产品】 磷化铟（InP）衬底CMP抛光液（YCP-P300 / YCP-P200）
在光子芯片、5G/6G通信及Micro-LED显示等前沿领域，磷化铟（InP）作为关键的化合物半导体衬底材料，其表面平整度与无缺陷质量直接决定了后续外延与器件的性能。然而，用于InP衬底减薄与平坦化制程的高端CMP抛光液，长期以来被海外巨头高度垄断。实现抛光材料的国产替代与全链路自主可控，已成为我国化合物半导体产业链强链补链的迫切需求。
成立于2022年4月的意芯微电子材料（南通）有限公司（简称“意芯微”） ，正是半导体关键功能化学品国产化领域的创新先锋。公司专注于CMP抛光液、光刻胶剥离液、蚀刻液及显影液等湿电子化学品的研发与生产，研发人员占比超三成。意芯微先后斩获国家高新技术企业、国家级科技型中小企业等荣誉，并获得韦豪创芯、毅达资本等知名产业资本投资。目前意芯微已与200余家客户建立合作，覆盖硅片、碳化硅、逻辑芯片及先进封装等领域，实现了从抛光磨料颗粒到最终产品的全链路国产化。
本次角逐“年度技术突破奖”的磷化铟（InP）衬底CMP抛光液，是意芯微针对InP衬底抛光效率低、表面易产生划伤点蚀等行业瓶颈推出的重磅创新成果。产品自主开发了“氧化铝高去除速率粗抛”与“氧化硅低损伤精抛”两大磨料体系，实现了对InP衬底粗抛至精抛全制程的完美覆盖。在粗抛配方上，公司创新采用弱碱性pH与特定粒径氧化铝磨料，复配次氯酸钠氧化剂及pH稳定剂，大幅提升了抛光效率与表面质量。
在核心性能指标上，意芯微InP CMP抛光液去除速率达到1.0μm/min以上，较海外友商提升10%–20%，价格则降低30%以上，且具备更长保存周期与批次稳定性。公司针对该产品已布局核心发明专利，并围绕磨料与配方积累了50余项专利资产。目前，该产品已在多家行业头部企业完成订单交付与线上验证。
从突破化合物半导体材料进口封锁，到构建100%自主可控的原料与产品供应链，意芯微展现了我国半导体材料企业的硬核创新实力。展望未来，公司将持续推进面向大尺寸磷化铟衬底的下一代复合磨料研发，以技术代际领先筑牢我国光电子与高端半导体产业的材料基石。
2027半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2026年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
“年度技术突破奖”奖项旨在表彰2026年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2026年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术的原始创新性50%；
2、技术或产品的主要性能和指标30%；
3、产品的市场前景及经济社会效益20%。
