在半导体制造的前沿领域，大族半导体凭借深厚的研发实力和坚持不懈的创新精神，始终致力于激光切割应用方案的深入探索。近日，大族半导体自主研发的DA100-A7 PRO设备成功通过客户技术验证并具备量产能力。这款设备突破了传统半导体制造技术的局限，更是在SiC衬底的切割方面展现出了卓越的性能，完美契合了半导体制程中的多元化需求，一经推出便引起了业界的广泛关注。
设备介绍
型号：DA100-A7 PRO
01 应用领域
第三代半导体SiC晶圆激光表面烧蚀切割，应用于射频器件、功率器件（有功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT）、新能源汽车、光伏发电、智能电网、轨道交通、射频通信等领域。
02 设备优势
全新软硬件架构，无机差，加工参数一致，品质有保障；
更简洁的分离制程（少一个制程且无需倒膜），可应对200μm厚度以下；
下CCD分辨率<1μm，业内最高；尺寸精度更有保障；
8寸以下产品兼容，无需更换升级；
自研多光路系统，可切换不同光路到达高效加工；
全自动上下料，无人值守全自动运行；
具备自动涂胶、清洗功能。
03 主要参数
04 切割方案对比
注：DA100切割比传统激光切割分离制程更简洁（少一个制程且无需倒膜）。
05 切割效果
大族半导体DA100-A7 PRO设备成功通过客户技术验证，不仅是深厚技术实力的完美展现，更是对市场趋势的精准把握和行业未来发展的深刻洞察。展望未来，大族半导体将持续坚定加大研发投入，致力于推出更多创新且性能卓越的产品，为半导体制造行业的蓬勃发展贡献更多力量。
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